[发明专利]半导体集成电路器件及其制造方法无效
| 申请号： | 96123443.1 | 申请日： | 1996-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN1139129C | 公开（公告）日： | 2004-02-18 |
| 发明（设计）人： | 轰原广见;三浦英生;铃树正恭;西原晋治;池田修二;佐原政司;石田进一;阿部宏美;荻岛淳史;内山博之;阿部园子 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立制作所 |
| 主分类号： | H01L27/108 | 分类号： | H01L27/108;H01L23/52;H01L21/768;H01L21/28 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体器件，具有硅基片、电布线用金属、开在形成于硅基片上的绝缘膜上并用于硅基片和电布线用金属连接的多个接触孔、形成于该接触孔内部的硅化钛膜，其特征是，硅化钛膜的膜厚为10nm-120nm，最好是20nm-84nm，通过该硅化钛膜连接半导体区域和电布线用金属。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 集成电路 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：硅衬底；在所述硅衬底上形成的绝缘膜；在所述绝缘膜上形成的电布线用金属；在所述绝缘膜中设置的多个接触孔；以及在所述接触孔内部形成于硅衬底或多晶硅上的电连接所述电布线用金属的硅化钛膜，其中，所述硅化钛膜的膜厚为10-120nm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
