[发明专利]SOI基片及其制造方法无效
| 申请号： | 96123934.4 | 申请日： | 1996-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN1162834A | 公开（公告）日： | 1997-10-22 |
| 发明（设计）人： | 金载甲 | 申请（专利权）人： | 现代电子产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 柳沈知识产权律师事务所 | 代理人： | 杨梧 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种硅器件层均匀的SOI基片及其制造方法，该SOI基片包括，硅支承晶片，在支承晶片上部形成的掺杂杂质的氧化膜，在所述掺杂杂质的氧化膜上部形成的、具有均匀厚度的硅器件层，在所述掺杂杂质的氧化膜上部形成的、防止掺杂杂质的氧化膜内的杂质扩散的扩散阻挡膜。 | ||
| 搜索关键词： | soi 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种SOI基片，其特征在于包括：硅支承晶片；在硅支承晶片上部形成的掺杂杂质的氧化膜；在所述掺杂杂质的氧化膜上部形成的、具有均匀厚度的硅器件层；在所述掺杂杂质的氧化膜上部形成的、防止掺杂杂质的氧化膜内杂质扩散的扩散阻挡膜。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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