[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 96123937.9 | 申请日： | 1996-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN1160293A | 公开（公告）日： | 1997-09-24 |
| 发明（设计）人： | 金载甲 | 申请（专利权）人： | 现代电子产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/8239;H01L21/336 |
| 代理公司： | 柳沈知识产权律师事务所 | 代理人： | 杨梧 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明披露了一种半导体器件及其制造方法。本发明的半导体器件包括SOI晶片，它包括硅基片、形成于硅基片上部的绝缘膜、第一导电型硅层和形成于所述硅层与所述绝缘膜之间的传导层；形成于所述硅层的场氧化膜，它限定出第一和第二有源区；在所述第一有源区预定部分形成的栅电极；在所述栅电极两侧的第一有源区形成的第二导电型的源/漏区；在所述第二有源区形成的预定导电型的主体电极区。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体器件，其特征在于包括：SOI晶片，它包括硅基片、在硅基片上部形成的绝缘膜、第一导电型硅层和在所述硅层与所述绝缘膜之间形成的传导层；场氧化膜，它形成于所述硅层，并限定出第一有源区与第二有源区；栅电极，它形成于所述第一有源区的所述硅层的预定部分；第二导电型源/漏区，它形成于所述栅电极两侧的第一有源区；和形成于所述第二有源区的所述硅层、与所述传导层接触的预定导电型的主体电极区。
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