[发明专利]单晶提拉装置无效
| 申请号： | 96123966.2 | 申请日： | 1996-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN1150354C | 公开（公告）日： | 2004-05-19 |
| 发明（设计）人： | 田口裕章;热海贵;降屋久;喜田道夫 | 申请（专利权）人： | 三菱麻铁里亚尔硅材料株式会社;三菱麻铁里亚尔株式会社 |
| 主分类号： | C30B15/00 | 分类号： | C30B15/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 萧掬昌;王忠忠 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种单晶提拉装置主结构，包括一舱室其内有一双坩埚(3)以存储半导体熔体(21)，双坩埚包括彼此相通的外坩埚(11)和内坩埚(12)，和一原料供应管(5)，它从舱室上部悬挂且定位使粒状原料(8)可从其底端开口(5a)引入到外坩埚(11)和内坩埚(12)之间的半导体熔体。一倾斜部分配备在原料供应管(5)底端内坩埚(12)一侧，以使从原料供应管底部开口(5a)出来的原料(8)降落进入邻近外坩埚(11)侧壁的半导体熔体(21)处。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶提拉 装置 | ||
【主权项】：
1.一种单晶提拉装置，包括：一个气密容器；所述气密容器内的一个坩埚，用于盛有硅或砷化镓半导体熔体；和一个从所述气密容器上部悬挂的原料供应管，其一个底端开口要定位，以便令颗粒原料添加到所述坩埚内盛有的半导体熔体上，其特征在于，在所述原料供应管底部配备一个倾斜部分，用于保证从所述原料供应管底部开口出来的所述原料降落进入邻近所述坩埚侧壁的所述半导体熔体中，其中，所述坩埚包括彼此相通的外坩埚和内坩埚，并且所述原料供应管将从所述底部开口出来的所述半导体熔体原料引入所述外坩埚和所述内坩埚之间并且邻近所述外坩埚侧壁处，并且，所述原料供应管要定位，使所述原料供应管横截面的两个长边分别面向所述内坩埚和所述外坩埚，而且沿相应于横断截面的两个短边的两个内壁交错向下配备多个挡板，用于使原料在降落期间冲撞挡板，因此降低降落速度。
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