[发明专利]不夹持的真空传热站

摘要

一种用在真空室内用于半导体晶片(5)的不夹持的热交换站，真空室内用工业等级的惰性气体，压力为2乇至30乇。所述热交换支承件(1)在用于放置晶片(5)的区域内具有诸多通孔(2)，以起一微型气体增压室的作用，从而使晶片(5)的顶侧和底侧的压力相等。这种结构可避免了因使用夹具会产生的晶片边缘破碎和颗粒的沉积，并且可提高传热速率和晶片温度的均匀性。

主权项

1.一种用来与一半导体晶片的第一表面的宽面面积W进行热交换的传热装置，包括：(a)一真空室，所述真空室包括一基底和围壁，所述围壁具有用于将所述半导体晶片放入和取出所述真空室的一门开口和闸门装置，所述闸门装置包括一在所述闸门装置抵靠到所述门开口上时能将所述闸门装置真空密封于所述门开口的装置，所述真空室还包括能将所述腔室内的压力抽低至真空压力的装置；(b)一传热板，所述传热板安装在所述真空室内，所述传热板具有相反的第一和第二表面，所述传热板的第一表面具有一面积为A的平面区域，用来容纳和支承所述半导体晶片的所述第一表面，所述平面区域的平直度在0.010英寸范围内，所述面积A大于所述半导体晶片的所述面积W，所述平面区域用来容纳和支承所述半导体晶片且其内有通气装置，所述通气装置是一种通路，以使所述真空室内的气体能自由地通过所述通气口而扩散，从而使位于所述传热板的所述第一和第二两相反表面附近的气体能在所有时间始终处于自由层流气体连通状态，所述所有时间包括把所述半导体晶片放置在用来容纳和支撑所述半导体晶片的所述第一表面的所述平面区域内的那些时间；(c)一惰性气体压力源，有输送装置将所述惰性气体压力源连通于所述真空室，以使所述惰性气体能计量地流至所述真空室，以产生一腔室压力P，这里P＞2乇；(d)连接于所述传热板以提供热量来升高所述晶片的温度或抽出热量来降低所述晶片的温度的装置。