[发明专利]将数据写入电可擦可编程只读存储器阵列的方法

摘要

一种区段可编程EEPROM存储器，它结合芯片上写高速缓冲存储器(83)用作缓冲器。EEPROM主存储芯体划分为存储页面(32)，每个存储页面进一步划分为子页面区段(59-62)，每个子页面区段保持大批多字节数据字。存储页面内的子页面区段可以单独或一起进行编程和擦除周期。该EEPROM存储器结合ECC部件(73)用来恢复和刷新存储芯体中丢失的数据。EEPROM存储器还能中断载入周期。

主权项

1.一种将数据写入EEPROM存储器阵列的方法，该阵列的主存储芯体划分为多个存储页面和一个写高速缓冲存储器，该写高速缓冲存储器采用三个周期，其特征在于：载入周期(a)，将用户输入的字节长度数据载入所述写高速缓冲存储器；读回周期(b)，将多字节字从所选的主存储页面读回到写高速缓冲存储器；以及载回周期(c)，将多字节数据字从写高速缓冲存储器装回到主存储芯体。