[发明专利]电介质电容器及其制造方法无效

专利信息
申请号: 96190228.0 申请日: 1996-07-05
公开(公告)号: CN1085411C 公开(公告)日: 2002-05-22
发明(设计)人: 中村孝 申请(专利权)人: 罗姆股份有限公司
主分类号: H01L27/108 分类号: H01L27/108;H01L21/8242;H01L27/04
代理公司: 上海专利商标事务所 代理人: 沈昭坤
地址: 日本京都*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明的目的在于提供显示出优异的介电特性的电介质电容器。硅基片2上设置有二氧化硅层4、下部电极12、强电介质层8、以及上部电极15。下部电极12由氧化钯构成。而上部电极15也由氧化钯构成。氧化钯能防止强电介质膜8中的氧透过。以此,可以得到显示出优异的介电特性的电介质电容器。#!
搜索关键词: 电介质 电容器 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种电介质电容器,其特征在于,具备:至少具有WOx层、TiOx层、TaOx层、IrO2层、PtO2层、RuOx层、ReOx层、PdOx层、OsOx层中的任一氧化层,并且在上面形成W层、Ti层、Ta层、Ir层、pt层、Ru层、Re层、Pd层、Os层中的任一导体层的下部电极、形成于下部电极上的所述导体层上面,由强电介质或具有高介电常数的电介质构成的电介质层、在该电介质层上形成的上部电极。
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