[发明专利]电介质电容器及其制造方法无效
申请号: | 96190228.0 | 申请日: | 1996-07-05 |
公开(公告)号: | CN1085411C | 公开(公告)日: | 2002-05-22 |
发明(设计)人: | 中村孝 | 申请(专利权)人: | 罗姆股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/108 | 分类号: | H01L27/108;H01L21/8242;H01L27/04 |
代理公司: | 上海专利商标事务所 | 代理人: | 沈昭坤 |
地址: | 日本京都*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明的目的在于提供显示出优异的介电特性的电介质电容器。硅基片2上设置有二氧化硅层4、下部电极12、强电介质层8、以及上部电极15。下部电极12由氧化钯构成。而上部电极15也由氧化钯构成。氧化钯能防止强电介质膜8中的氧透过。以此,可以得到显示出优异的介电特性的电介质电容器。#! | ||
搜索关键词: | 电介质 电容器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种电介质电容器,其特征在于,具备:至少具有WOx层、TiOx层、TaOx层、IrO2层、PtO2层、RuOx层、ReOx层、PdOx层、OsOx层中的任一氧化层,并且在上面形成W层、Ti层、Ta层、Ir层、pt层、Ru层、Re层、Pd层、Os层中的任一导体层的下部电极、形成于下部电极上的所述导体层上面,由强电介质或具有高介电常数的电介质构成的电介质层、在该电介质层上形成的上部电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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