[发明专利]金属氧化物薄膜电阻器无效
| 申请号： | 96190234.5 | 申请日： | 1996-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN1056459C | 公开（公告）日： | 2000-09-13 |
| 发明（设计）人： | 服部章良;堀喜博;池田正树;吉田昭彦;进藤泰宏;五十岚幸造 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01C7/00 | 分类号： | H01C7/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 沈昭坤 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的金属氧化物薄膜电阻器，具备有绝缘性的基体材料、至少由电阻温度系数显示正值的金属氧化物薄膜和／或其电阻温度系数显示负值的金属氧化物薄膜构成的金属氧化物电阻薄膜及／或金属氧化物绝缘薄膜；是一种不受水分的影响，也不受绝缘基体材料中的碱离子的影响，膜本身的电阻值不变，可靠性高的电阻器。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 氧化物 薄膜 电阻器 | ||
【主权项】：
1.一种金属氧化物薄膜电阻器，具备绝缘性基体材料，其特征在于，还具备在所述基体材料上形成的金属氧化物电阻薄膜；所述金属氧化物电阻薄膜至少由电阻温度系数显示出正值的金属氧化物薄膜和电阻温度系数显示出负值的金属氧化物薄膜构成，所述电阻温度系数显示正值的金属氧化物薄膜以氧化锡、氧化铟及氧化锌中的至少一种为主要成份。
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