[发明专利]半导体器件的制造方法无效
| 申请号： | 96190732.0 | 申请日： | 1996-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN1110074C | 公开（公告）日： | 2003-05-28 |
| 发明（设计）人： | 坂本和久 | 申请（专利权）人： | 罗姆股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/322 | 分类号： | H01L21/322 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 通过向半导体衬底上照射粒子束生成半导体晶体的晶体缺陷的半导体器件的制造方法在进行上述粒子束的照射之前，通过例如在10分钟以内升温到550～850℃的快速加热，在该温度下进行例如1秒～60分钟之间的热处理。即使由于电子束等粒子束的照射会生成晶体缺陷，从而缩短载流子的寿命而使开关速度达到高速化，电流放大倍数等电学特性也不会降低，故可得到满足开关速度和电学特性两方面要求的半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制造方法，该方法中通过对半导体衬底照射粒子束生成半导体晶体的晶体缺陷且在进行上述粒子束的照射之前的工序中进行了热处理，其特征在于，上述热处理包括：在10分钟以内快速加热到550～850℃；在该升温后的温度范围内维持1秒～60分钟；其后在10分钟以内进行快速冷却。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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