[发明专利]薄膜晶体管的制造方法、有源矩阵基板的制造方法以及液晶显示装置无效
| 申请号： | 96190818.1 | 申请日： | 1996-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN1097316C | 公开（公告）日： | 2002-12-25 |
| 发明（设计）人： | 石墨英人 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/31;G02F1/136 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 杨凯,叶恺东 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种薄膜晶体管的制造方法，该薄膜晶体管具有与源区和漏区连接的沟道区和在该沟道区通过栅极绝缘膜相对的栅电极，在该制造方法中，在上述栅极绝缘膜的形成工艺中，使用四乙氧基硅烷作为供给硅的原料气体，同时把用于产生等离子体的电极间距离取为15mm以下，在这种条件下用等离子化学气相淀积法形成硅氧化膜，由此，虽然是低温工艺但能够在大面积基板上以均匀的膜厚和较高的成膜速度形成电荷行为良好的高质量的栅极绝缘膜。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 制造 方法 有源 矩阵 以及 液晶 显示装置 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管的制造方法，该薄膜晶体管具有经栅极绝缘膜与沟道区相对的栅极电极，特征在于，所述方法包括：使用四乙氧基硅烷作为供给硅的原料气体的同时把用于发生等离子体的电极间距离取为在5mm到15mm之间，在这种条件下用等离子体化学气相淀积法形成硅氧化膜作为上述栅极绝缘膜，且在所述等离子体化学气相淀积过程中反应室内的压力取为在100mTorr到700mTorr之间。
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