[发明专利]有源矩阵基板

摘要

能够削减反交错结构的非晶硅薄膜晶体管制造工序的新制造方法、具备用其制造方法做成的静电保护装置的有源矩阵基板及使用了其基板的液晶显示装置。在薄膜晶体管的制造工序中同时形成连接孔和用于连接外部端子的开口，并都把ITO膜作为布线使用。静电保护装置由连接在用于连接在外部端子的电极(压焊区)和共用电位线之间的、用MOS晶体管构成的双向二极管(静电保护元件)组成。静电保护元件实质上是晶体管，电流容量大，还有，能够直接使用象素部分的TFT形成工序形成而不使工序复杂化。

主权项

1.一种薄膜元件的制造方法，包括下述(A)～(H)制造工序：(A)在基板上形成栅极电极层及用与该栅极电极层相同材料构成的栅极电极材料层的工序；(B)在上述栅极电极层及栅极电极材料层上形成栅极绝缘膜的工序；(C)在上述栅极绝缘膜上，在具有和上述栅极电极层平面重迭的形态下形成沟道层和欧姆接触层的工序；(D)形成连接于上述欧姆接触层的源极电极层及漏极电极层的工序；(E)用刻蚀除去存在于上述源极电极层和漏极电极层之间的上述欧姆接触层的工序；(F)形成保护膜以便复盖上述源极电极层、漏极电极层以及上述栅极电极材料层的工序；(G)选择性地刻蚀存在于上述栅极电极层或上述栅极电极材料层上的上述栅极绝缘膜以及上述保护膜的部分重迭膜，形成使上述栅极电极层或栅极电极材料层的部分表面露出的第1开口，同时选择性地刻蚀上述源极电极层或漏极电极层上的上述部分绝缘膜形成使上述源极电极层或漏极电极层的部分表面露出的第2开口的工序；(H)经由上述第1开口或第2开口把导电性材料层连接到上述栅极电极层、栅极电极材料层、上述源极层、漏极电极层的至少一个上的工序。