[发明专利]半导体器件的凸出电极形成方法无效
| 申请号： | 96191465.3 | 申请日： | 1996-10-03 |
| 公开（公告）号： | CN1110072C | 公开（公告）日： | 2003-05-28 |
| 发明（设计）人： | 佐藤哲夫;石田芳弘 | 申请（专利权）人： | 西铁城时计株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/321 | 分类号： | H01L21/321;H01L21/60 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 这是一种具有把粘结剂附加到半导体器件的焊盘电极上边的粘结剂处理工序，使一个或二个以上的焊锡小粒附着到已附加了粘结剂的部分上的焊锡小粒附着工序，和使焊锡小粒熔融以形成凸出电极的焊锡熔融工序的半导体器件的凸出电极形成方法，在上述加热熔融焊锡小粒形成凸出电极的工序中，构成为使金属心嵌入凸出电极内部。这样，就可以得到以简单的工序形成了可靠性高的凸出电极的半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 凸出 电极 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的凸出电极形成方法，其特征是，具有下述工序：电镀工序，用于在半导体器件的焊盘电极上边进行无电解电镀；粘结剂处理工序，在把上述电镀工序中形成的无电解电镀部分浸入药剂后，通过干燥该药剂把粘结剂选择性附加到半导体器件的焊盘电极上；焊锡小粒附着工序，用于使至少一个焊锡小粒附着于已附加了粘结剂的部分上；以及焊锡熔融工序，用于熔融焊锡小粒以形成凸出电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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