[发明专利]薄膜半导体器件、薄膜半导体器件的制造方法、液晶显示装置、液晶显示装置的制造方法、电子设备,电子设备的制造方法和薄膜淀积方法无效
| 申请号： | 96191902.7 | 申请日： | 1996-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN1173948A | 公开（公告）日： | 1998-02-18 |
| 发明（设计）人： | 宫坂光敏 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;H01L21/786 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 杨凯,叶恺东 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 为了通过可使用廉价的玻璃基板的低温工艺来制造高性能的薄膜半导体器件,在通过使用了作为原料气体的硅烷和作为稀释气体的氩的PECVD法形成结晶性高的混晶质半导体膜之后,用激光照射等方法提高结晶性来制造薄膜半导体器件,使用该薄膜半导体器件制成液晶显示装置或电子设备。在将本发明应用于有源矩阵基板的液晶显示装置的制造时,可容易地而且稳定地制造大型和高质量的液晶显示装置。此外,在应用于其他的电子电路的制造时,也可容易地而且稳定地制造高质量的电子电路。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 半导体器件 制造 方法 液晶 显示装置 电子设备 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜半导体器件的制造方法，在该制造方法中在至少一部分表面是绝缘性物质的基板的该绝缘性物质上形成半导体膜，以该半导体膜作为晶体管的有源层，该制造方法的特征在于：包括用等离子化学汽相淀积法(PECVD法)淀积膜厚约从40nm至300nm的半导体膜的工序，将含有该半导体膜的构成元素的化学物质作为原料气体，并使用氩(Ar)作为附加气体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
