[发明专利]多值的、其信噪比有所改善的固定值存储单元

摘要

本发明涉及一种多值的固定值存储单元。其中，尽量减少所需的电路费用并且与已公开的、多值的存储单元相比，其信噪比有显著改善。所述存储单元用于存储制成对称结构的一个第一和第二状态和制成非对称结构的一个第三状态，其特征在于，固定值存储单元包括一个MOS场效应晶体管，其中通过一个第一单元引线端、一个第二单元引线端与MOS场效应晶体管的源/漏极区与MOS场效应晶体管的各个电极区连接的不同连接方式，分别存储第一状态至第四状态。

主权项

1.多值的固定值存储单元，该存储单元用于存储制成对称结构的一个第一状态和一个第二状态(M，M)并且用于存储制成非对称结构的一个第三状态(M，M”)，其特征在于，固定值存储单元包括一个MOS场效应晶体管(T)，该晶体管(T)具有一个处在半导体(H)中的源/漏极区(S/D)和一个在半导体(H)中的漏/源极区(D/S)，其中，为了存储第一状态(M)，一个第一单元引线端(1)与MOS场效应晶体管的源/漏极区(S/D)直接连接并且一个第二单元引线端(2)与MOS场效应晶体管的漏漏/极区(D/S)直接连接，其中，为了存储第二状态(M)，第一单元引线端(1)经一个元件(D1、R1)与MOS场效应晶体管的源/漏极区(S/D)相连，并且第二单元引线端(2)经另一元件(D2、R2)与MOS场效应晶体管的漏/源极区(D/S)连接，其中，为存储第三状态(M’)，第一单元引线端(1)经元件(D1、R1)与MOS场效应晶体管的源/漏极区(S/D)相连并且第二单元引线端(2)与MOS场效应晶体管的漏/源极区(D/S)直接连接，其中，为了存储一个第四状态(M”)，第一单元引线端(1)与MOS场效应晶体管的源/漏极区(S/D)直接连接并且第二单元引线端(2)经另一元件(D2、R2)与MOS场效应晶体管的漏/源极区(D/S)连接，其中，一个第三单元引线端(3)与MOS场效应晶体管的一个栅极(G)相连，其中该栅极通过一个绝缘层(ISO)与半导体电气绝缘，并且其中，上述的元件是第一二极管(D1)，并且上述的另一元件是第二二极管(D2)。