[发明专利]具有混合层状超点阵材料的集成电路及用于制备该电路的前体溶液无效

专利信息
申请号: 96192642.2 申请日: 1996-03-14
公开(公告)号: CN1127755C 公开(公告)日: 2003-11-12
发明(设计)人: 吾妻正道;卡洛斯·A·帕斯·德·阿劳约;拉里·D·麦克米兰 申请(专利权)人: 松下电器产业株式会社;塞姆特里克斯公司
主分类号: H01L21/3205 分类号: H01L21/3205;C04B35/622
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 代理人: 过晓东
地址: 暂无信息 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 使用金属烷氧羧酸盐基液状前体溶液构成包含具有用超点阵生成体层有序化的分立的氧八面体层(124)和(128)的一种类型的混合层状超点阵材料(112)的铁电装置(100)。前体溶液包含多种以有效量生成层状超点阵材料的金属组分。这些金属组分被混合以包含能形成A/B层的A/B部分,能形成钙钛矿样AB八面体层(128)的钙钛矿样AB层部分,和能形成超点阵生成体层(116)的超点阵生成体部分。前体以液状形式置于基片上并退火以生成层状超点阵材料。
搜索关键词: 具有 混合 层状 点阵 材料 集成电路 用于 制备 电路 溶液
【主权项】:
1.一种薄膜电子装置(100)包括:一个第一电极(110)和一个第二电极(114),它们与一插于上述第一电极和上述第二电极间的层状超点阵材料(112)电接触,所述装置的特征在于,所述材料具有多层(116,124,128),其顺序包括一个具有A/B离子性子晶胞(146)的A/B层(124),所述晶胞由选自位置A金属、位置B金属及其混合物的金属氧化物构成;一个具有超点阵生成体子晶胞的超点阵生成体层(116);和一个包含位置A和位置B金属的钙钛矿样AB层(128),所述AB层具有不同于A/B层点阵的钙钛矿样氧八面体点阵。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于松下电器产业株式会社;塞姆特里克斯公司,未经松下电器产业株式会社;塞姆特里克斯公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/96192642.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top