[发明专利]具有混合层状超点阵材料的集成电路及用于制备该电路的前体溶液无效
申请号: | 96192642.2 | 申请日: | 1996-03-14 |
公开(公告)号: | CN1127755C | 公开(公告)日: | 2003-11-12 |
发明(设计)人: | 吾妻正道;卡洛斯·A·帕斯·德·阿劳约;拉里·D·麦克米兰 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社;塞姆特里克斯公司 |
主分类号: | H01L21/3205 | 分类号: | H01L21/3205;C04B35/622 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 过晓东 |
地址: | 暂无信息 | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 使用金属烷氧羧酸盐基液状前体溶液构成包含具有用超点阵生成体层有序化的分立的氧八面体层(124)和(128)的一种类型的混合层状超点阵材料(112)的铁电装置(100)。前体溶液包含多种以有效量生成层状超点阵材料的金属组分。这些金属组分被混合以包含能形成A/B层的A/B部分,能形成钙钛矿样AB八面体层(128)的钙钛矿样AB层部分,和能形成超点阵生成体层(116)的超点阵生成体部分。前体以液状形式置于基片上并退火以生成层状超点阵材料。 | ||
搜索关键词: | 具有 混合 层状 点阵 材料 集成电路 用于 制备 电路 溶液 | ||
【主权项】:
1.一种薄膜电子装置(100)包括:一个第一电极(110)和一个第二电极(114),它们与一插于上述第一电极和上述第二电极间的层状超点阵材料(112)电接触,所述装置的特征在于,所述材料具有多层(116,124,128),其顺序包括一个具有A/B离子性子晶胞(146)的A/B层(124),所述晶胞由选自位置A金属、位置B金属及其混合物的金属氧化物构成;一个具有超点阵生成体子晶胞的超点阵生成体层(116);和一个包含位置A和位置B金属的钙钛矿样AB层(128),所述AB层具有不同于A/B层点阵的钙钛矿样氧八面体点阵。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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