[发明专利]共面X射线光电二极管装配器无效
| 申请号： | 96193669.X | 申请日： | 1996-05-03 |
| 公开（公告）号： | CN1185233A | 公开（公告）日： | 1998-06-17 |
| 发明（设计）人： | 亚历山大·T·博特卡;本·蒂韦尔;索林·马尔科维奇 | 申请（专利权）人： | 模拟技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/075 | 分类号： | H01L31/075;H01L31/115;H01L27/146;G01T1/24 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 蹇炜 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 所公开的是一种共面光电二极管(50)结构,它具有在X射线检测方面的特殊应用,其中被未掺杂材料(61)分开的交替P掺杂区(54)及N掺杂区(56)沿光电二极管及其相关的X射线闪光晶体(74)之间的表面定位并延伸到该表面以下相对浅的深度。 | ||
| 搜索关键词： | 射线 光电二极管 装配 | ||
【主权项】：
1、用于X射线检测的共面光电二极管，包括半导体装置，该半导体装置具有一个吸收面及与该所述面相邻接的：(a)第一掺杂区，它具有第一极性并延伸到所述半导体装置中一个第一深度；(b)第二掺杂区，它具有与第一掺杂区极性相反的极性，并延伸到所述半导体装置中一个第二深度，该第二深度实质上等于或大于所述第一深度；(c)一个实际上未掺杂区，它隔离所述第一及第二区并位于它们下部；及(d)第一电接触装置，它沿所述吸收面连接到所述第一区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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