[发明专利]等离子体蚀刻系统无效
| 申请号： | 96194041.7 | 申请日： | 1996-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN1154157C | 公开（公告）日： | 2004-06-16 |
| 发明（设计）人： | 弗拉蒂米尔·E·莱博维克;马丁·L·朱克 | 申请（专利权）人： | 泰格尔公司 |
| 主分类号： | H01L21/27 | 分类号： | H01L21/27;H01L21/30;H01L21/31;H01L21/205 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 马莹 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一等离子体体反应器设备(1)，其改善了蚀刻均匀性并提高了刻蚀的产量。通过采用新型的气体输送机构(9a)和绝热的晶片吸盘(42)实现了更好的蚀刻均匀性。真空绝热的吸盘(42)还使得能量消耗低、及产量高。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 蚀刻 系统 | ||
【主权项】：
1.一种处理半导体晶片的等离子体反应器，包括：一个等离子体反应容器，所述容器具有一顶部组件；一个用来支撑将被处理的晶片的夹盘；一个通过环形空隙将气体导入所述容器的装置；一相邻于该环形空隙的环形周边法兰，该法兰被引进到所述容器中，以便给所述容器提供一薄气层；所述周边法兰与所述顶部组件相邻，以便将气体引入所述周边法兰和所述顶部组件之间的所述容器；并且其中所述法兰没有遍布用于接收一晶片的所述夹盘的区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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