[发明专利]现场产生用于半导体加工的超高纯度过氧化氢无效
| 申请号： | 96194534.6 | 申请日： | 1996-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN1089616C | 公开（公告）日： | 2002-08-28 |
| 发明（设计）人： | J·G·霍夫曼;R·S·克拉克 | 申请（专利权）人： | 斯塔泰克文切斯公司 |
| 主分类号： | B01D15/04 | 分类号： | B01D15/04 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 陈季壮 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请描叙了用于在集成电路制造前端设施现场制备超高纯度过氧化氢的系统和方法。起始物是高纯度的H2O2水溶液(如30％H2O2)。输入的H2O2水溶液在准备好与其它试剂混合之前，先在现场纯化装置中进一步纯化。 | ||
| 搜索关键词： | 现场 产生 用于 半导体 加工 超高 纯度 过氧化氢 | ||
【主权项】：
1.在半导体装置制造设施中的一种现场子系统，用于向半导体制造操作提供超高纯度的含H2O2试剂，该系统包括：一个槽，连接成接受H2O2水溶液并由其提供H2O2流；一个阴离子交换床和一个阳离子交换床，连接到接受来自槽中的H2O2流，并由其产生离子污染物含量降低的纯化过的H2O2流；其中阳离子交换床用酸预处理，阴离子床用碳酸氢根离子预处理；位于阴离子交换床和阳离子交换床下游的一个过滤器；一个管道连接系统，它将来自过滤器的H2O2水溶液送往半导体装置制造设施中的使用地点而不与任何未受控制的环境接触。
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