[发明专利]半导体加工用超高纯盐酸的现场制备无效

专利信息
申请号: 96194539.7 申请日: 1996-06-05
公开(公告)号: CN1189787A 公开(公告)日: 1998-08-05
发明(设计)人: J·G·霍夫曼;R·S·克拉克 申请(专利权)人: 斯塔泰克文切斯公司
主分类号: B08B7/04 分类号: B08B7/04;B01D1/00;B01D3/14;B01D3/02;B01D3/00;C01B7/19;C01B7/07;F26B7/00
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 吴亦华
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 用以下步骤现场制备用于半导体制造的高度纯化的HCl从液体HCl储蓄器(11)中抽出HCl蒸气(12)以及在低pH值的含水涤气器(17)中洗涤经过滤的蒸气(15)。
搜索关键词: 半导体 工用 高纯 盐酸 现场 制备
【主权项】:
1.一种在半导体设备制造工厂中为半导体制造操作提供含HCl的超高纯试剂的现场辅助体系,该体系包括:一个连接到液体HCl源并由它提供HCl蒸气流的汽化源;所述的HCl蒸气流被连接以通过离子纯化装置,它使含有高浓度盐酸的高纯水循环流与所述的HCl蒸气流接触;以及一个连接的制备装置,它接收来自所述的纯化装置的所述HCl蒸气流,并使所述的HCl蒸气与含水液体合并,制得含有HCl的超纯含水溶液;以及一个管系,它将所述的含水溶液送到半导体设备制造工厂的各使用点。
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