[发明专利]电可写可擦的只读存储单元装置及其制作方法

摘要

电可写可擦的存储单元装置包括许多存储单元,每一存储单元具有一个浮栅(6″)的MOS晶体管,MOS晶体管安置在平行走向的行中。这时相邻的行分别交替地安排在纵向沟槽(4)的底面上和在相邻的纵向沟槽(4)之间。通过自对准工序,各个存储单元的占地面积达到2F2(F∶最小的结构尺寸)。

主权项

1.电可写可擦的只读存储单元装置，其中，—在半导体衬底(1)的由第一导电类型掺杂区域(2)内配置了很多单个的存储单元，—由第一导电类型掺杂的区域(2)是对半导体衬底(1)隔离的，—存储单元分别安置在基本上平行走向的行中，—在半导体衬底(1)的主面(3)内配置了基本上平行于行走向的纵向沟槽(4)，—行分别交替地处在相邻的纵向沟槽(4)之间的主面(3)上和纵向沟槽(4)的底面上，—存储单元分别包括至少一个具有与第一导电类型相反的第二导电类型掺杂的源/漏区(12)、第一电介质(5)、一个浮栅(6″)、第二电介质(10)和一个控制栅(11′)的MOS晶体管，—字线(11′)垂直于行的走向，这些字线(11′)分别与沿不同的行安置的MOS晶体管的控制栅相接。