[发明专利]制备陶质多层基片的方法无效
| 申请号： | 96194770.5 | 申请日： | 1996-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN1187904A | 公开（公告）日： | 1998-07-15 |
| 发明（设计）人： | 乌尔里希·格贝尔;瓦尔特·罗特林绍弗 | 申请（专利权）人： | 罗伯特·博施有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 甘玲 |
| 地址： | 联邦德国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提出了一种制备陶质多层基片、特别是LTCC基片的方法,其中,在多个初始陶膜上按印刷法制成导线线路和触头,印刷时用了含有一种蜡作为印刷载体的导电糊剂,所述糊剂不含易挥发溶剂。然后初始陶膜相互叠层放置并焙烧。在此取消了常规为蒸发掉所用的有机溶剂而需要的费时的初始陶膜干燥过程。此膜在印刷上导线线路和触头后直接被叠放并焙烧。此外还有很大的好处,它避免了因焙烧而引起的导线线路和初始陶膜的收缩。这样大大改善了所制造的陶质多层基片的精确性。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 多层 方法 | ||
【主权项】：
1、一种制备陶质多层基片、特别是LTCC基片的方法，其中，在多个初始陶质膜上按印刷法由导电糊剂制成导线线路和/或触头，然后这些初始陶质膜相互叠层放置并焙烧，其特征在于，在制造导线线路和触头时采用了一种加有蜡的导电糊剂，该糊剂不含易挥发性溶剂。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
