[发明专利]均质急冷基底及其制备方法无效
申请号: | 96194917.1 | 申请日: | 1996-04-23 |
公开(公告)号: | CN1150071C | 公开(公告)日: | 2004-05-19 |
发明(设计)人: | H·H·利伯曼;D·F·特勒 | 申请(专利权)人: | 梅特格拉斯公司 |
主分类号: | B22D11/06 | 分类号: | B22D11/06 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 卢新华;张元忠 |
地址: | 美国南卡*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 一种用于将熔融合金快速凝固成具有微晶或非晶态组织的带的急冷基底。该基底由导热合金组织并且该组织基本上均匀。 | ||
搜索关键词: | 均质急冷 基底 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种用于将熔融合金快速凝固成具有微晶或非晶态组织的带的急冷基底,所述的急冷基底包含晶粒尺寸的均匀性为尺寸大于1μm而小于1000μm的导热合金,以及所述组织在各方向上的晶粒尺寸基本上均匀。
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