[发明专利]制造一种EEPROM-半导体结构的方法无效
申请号: | 96196691.2 | 申请日: | 1996-08-13 |
公开(公告)号: | CN1097309C | 公开(公告)日: | 2002-12-25 |
发明(设计)人: | G·特佩尔 | 申请(专利权)人: | 西门子公司 |
主分类号: | H01L21/822 | 分类号: | H01L21/822;H01L21/8247;H01L27/06 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 马铁良,王忠忠 |
地址: | 联邦德*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及制造一种具有一个电阻,一个薄膜晶体管,一个电容器和一个晶体管的EEPROM-半导体结构的方法,这种方法利用了制作不同结构的各种注入工艺步骤,因此特别容易进行。 | ||
搜索关键词: | 制造 一种 eeprom 半导体 结构 方法 | ||
【主权项】:
1.制作具有一个电阻,一个薄膜晶体管,一个电容器,一个存储器晶体管和一个晶体管的EEPROM-半导体结构的方法,其中,在第一导电类型的一个半导体衬底(1)上,在一个第一局部区域制作一个场氧化层(2),并且在一个第2局部区域制作一个栅氧化层(3),通过沉积一个第一多晶硅层,并且然后形成结构,在场氧化层(2)上制作电阻、薄膜晶体管和电容器的硅结构(4,5和6),并且在栅氧化层(3)上制作存储器晶体管的硅结构(7),电阻和薄膜晶体管的硅结构(4,5)用一种掩膜覆盖,并且用第二导电类型的掺杂材料掺杂存储器晶体管和电容器的硅结构(6,7),将掩膜去掉,并且在薄膜晶体管、电容器和存储器晶体管的硅结构(5,6a和7a)区域沉积一个内多层介质层(14,15和16),和在该介质层上面在另一个工艺步骤中沉积多晶硅并形成结构,同时制作晶体管的第二硅结构(13),薄膜晶体管和电容器区域用另外的掩膜层覆盖起来,并且用第二次注入(18,19)在存储器晶体管区域和晶体管区域进行轻掺杂漏区-注入,并且同时在电阻区域掺杂硅结构(4),去掉前面制作的所述另外的掩膜,在电阻的中间区域(4c)制作一个新的掩膜,并且进行第三次注入(27)以用第二导电类型的掺杂材料进行源/漏注入,其中同时对在电阻和薄膜晶体管区域的硅结构(4,5)的外部区域(4a,4b,5a,5c)进行掺杂。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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