[发明专利]制造一种EEPROM－半导体结构的方法

摘要

本发明涉及制造一种具有一个电阻，一个薄膜晶体管，一个电容器和一个晶体管的EEPROM-半导体结构的方法，这种方法利用了制作不同结构的各种注入工艺步骤，因此特别容易进行。

主权项

1.制作具有一个电阻，一个薄膜晶体管，一个电容器，一个存储器晶体管和一个晶体管的EEPROM-半导体结构的方法，其中，在第一导电类型的一个半导体衬底(1)上，在一个第一局部区域制作一个场氧化层(2)，并且在一个第2局部区域制作一个栅氧化层(3)，通过沉积一个第一多晶硅层，并且然后形成结构，在场氧化层(2)上制作电阻、薄膜晶体管和电容器的硅结构(4，5和6)，并且在栅氧化层(3)上制作存储器晶体管的硅结构(7)，电阻和薄膜晶体管的硅结构(4，5)用一种掩膜覆盖，并且用第二导电类型的掺杂材料掺杂存储器晶体管和电容器的硅结构(6，7)，将掩膜去掉，并且在薄膜晶体管、电容器和存储器晶体管的硅结构(5，6a和7a)区域沉积一个内多层介质层(14，15和16)，和在该介质层上面在另一个工艺步骤中沉积多晶硅并形成结构，同时制作晶体管的第二硅结构(13)，薄膜晶体管和电容器区域用另外的掩膜层覆盖起来，并且用第二次注入(18，19)在存储器晶体管区域和晶体管区域进行轻掺杂漏区-注入，并且同时在电阻区域掺杂硅结构(4)，去掉前面制作的所述另外的掩膜，在电阻的中间区域(4c)制作一个新的掩膜，并且进行第三次注入(27)以用第二导电类型的掺杂材料进行源/漏注入，其中同时对在电阻和薄膜晶体管区域的硅结构(4，5)的外部区域(4a，4b，5a，5c)进行掺杂。