[发明专利]改进的薄膜晶体管,其制作方法及装有此薄膜晶体管的矩阵显示器

摘要

改进的薄膜晶体管，用以减少装有此晶体管的装置的缺陷，包括有源矩阵显示器(10)。实施第一项改进措施的方法是在底部金属层(52)上形成一双层绝缘材料层(60，62)，该金属层可是栅极线同时也是有源矩阵显示器中的行线。第一层绝缘材料层(60)通过对此金属层阳极氧化而形成，第二绝缘材料层(62)淀积在第一层上面。此双层绝缘材料结构层可再次进行阳极氧化以排除针孔效应。第二项改进措施包括，提供一种交叉梳状的晶体管结构以增加沟道宽度，最大限度地减少内部短路和最大限度减小漏极电容。此交叉梳状的结构(94，96；100，102)包括至少一个源极或漏极指，分别成形于至少两个漏极或源极指之间。一个已短路的源极指可被断开，以维护工作的晶体管。利用双层绝缘材料层形成有源矩阵显示器存储电容而构成另一项改进措施。利用第二层上覆的金属层(90)可形成冗余的列线(74，90)。缺陷屏蔽晶体管(49)同样也可从每一象素连至前面的栅极或行线。

主权项

1.一种制作改进的薄膜晶体管的方法，改进措施包括：形成交叉梳状的源极和漏极，包括，在所述源极内提供一闭合的开口，形成从所述源极伸向所述漏极的至少两个指和邻接所述开口相对两边的一个指，以及在所述漏极上形成至少一个指，从所述二源极指之间的所述漏极伸出并与之隔开一定距离。