[发明专利]用于半导体处理的气体注射系统

摘要

一种用于向一半导体处理室(12)中注射气态物质的系统(10)。注射系统(10)包括至少一个形成于封闭空间主体(52)内的封闭空间(42)和多个喷嘴(34)，它们和每个封闭空间相连接，用于从封闭空间(42)向室(12)注射气态物质。一管道结构沿着一迂回通道从封闭空间(42)向喷嘴(34)输送气态物质。喷嘴(34)被定位和构造成在晶片(22)整个表面上提供均匀的气体物质分布。

主权项

1.一种用于向一半导体处理室中输送气态物质的气体注射系统，包括：一封闭空间主体，其可安装在处理室中并且其中形成至少一个封闭空间，所述封闭空间包括至少一个供应入口，以向所述封闭空间输送气态物质；多个喷嘴，用于向所述处理室中注射所述气态物质，所述喷嘴和所述封闭空间隔开；和多个迂回管道，每个管道延伸于所述封闭空间和至少一个所述喷嘴之间，用于沿着一迂回通道从所述封闭空间向至少一个所述喷嘴输送气体物质，所述迂回管道导引所述气态物质流至至少两个不同的流动方向，以干扰所述气态物质在所述封闭空间和所述至少一个所述喷嘴之间的流动，使得所述气态物质从所述封闭空间到所述至少一个所述喷嘴均匀传输，而不依赖于所述至少一个所述喷嘴相对于所述供应入口的位置。