[发明专利]净化处理半导体制造中冲洗水的方法无效
| 申请号： | 96197852.X | 申请日： | 1996-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN1200712A | 公开（公告）日： | 1998-12-02 |
| 发明（设计）人： | P·莱恩;T·克雷尔;D·格斯比特 | 申请（专利权）人： | 克赖斯特股份有限公司 |
| 主分类号： | C02F1/28 | 分类号： | C02F1/28 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 黄泽雄 |
| 地址： | 瑞士*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 用大网络磺化乙烯基芳族聚合物的热解化物吸附的方法,除去半导体制造工艺冲洗水中存在的亲水有机杂质和过氧化氢,热解化物的碳含量至少为85%(重量),碳/氢原子比为1.5∶1至20∶1。尽管热解化物有疏水的表面,但它对这些杂质有较高的吸附性,因此比需用的活性炭有明显更高的脱除率。 | ||
| 搜索关键词： | 净化 处理 半导体 制造 冲洗 方法 | ||
【主权项】：
1.用吸附法从半导体制造工艺冲洗水中除去在15℃下与水互溶数量至少为10％(重量)的亲水有机杂质和/或过氧化氢的方法，其特征在于，使冲洗水通过其碳含量至少为85％(重量)和碳/氢原子比为1.5∶1至20∶1的、由大网络磺化乙烯基芳族聚合物制得的热解化物的床层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于克赖斯特股份有限公司，未经克赖斯特股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/96197852.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
