[发明专利]由掺杂的玻璃形成源/漏无效
| 申请号： | 96198466.X | 申请日： | 1996-10-03 |
| 公开（公告）号： | CN1228199A | 公开（公告）日： | 1999-09-08 |
| 发明（设计）人： | S·E·汤普森;C·－H·詹;P·A·帕坎;T·哈尼;E·安迪德;F·K·莫哈达姆;M·T·波尔 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L21/385 | 分类号： | H01L21/385;H01L21/8232 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 邹光新,张志醒 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种制造源和漏区的工艺，该源和漏区包括与栅相邻的较轻掺杂的源和漏接点区和与栅隔开的较重掺杂的源和漏区的主要部分。玻璃(2%BSG)的第一层(16)可作为接点区的掺杂源，玻璃(6%BSG)的第二层(35)为更重掺杂的源和漏区的主要部分的掺杂源。在玻璃层之间形成间隔层(31)以限定接点区与源和漏区主要部分。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂 玻璃 形成 | ||
【主权项】：
1.一种在衬底上制造晶体管的改进方法，包括步骤：形成具有与栅相邻的更轻掺杂区和与栅隔开的更重的掺杂区的掺杂源的源区；以及在可以改变扩散速率的环境中从掺杂源将掺杂剂扩散进入衬底中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
