[发明专利]具有增强的电荷搜集功能的半导体辐射探测器无效
| 申请号： | 96198760.X | 申请日： | 1996-10-04 |
| 公开（公告）号： | CN1203669A | 公开（公告）日： | 1998-12-30 |
| 发明（设计）人： | B·阿波托维斯基;C·L·林格伦;A·奥加内斯彦;皮波;J·F·布特勒;F·P·多泰;R·L·肯维尔;S·J·弗里森哈恩 | 申请（专利权）人： | 迪吉雷德公司 |
| 主分类号： | G01T1/24 | 分类号： | G01T1/24 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 邹光新,王岳 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种探测电离辐射的辐射探测器。探测器包括具有至少两个侧面的半导体(502)。偏置电极(504)制作在半导体(502)的一个侧面上。信号电极(506)制作在半导体(502)的一个侧面上,用于探测电离辐射的能量值。第三电极(508)(控制电极)也制作在半导体(502)上。电荷云靠近信号电极(506)时,控制电极(508)和信号电极(506)共享由电离辐射产生的电荷。控制电极(508)还调节半导体(502)的内部电场(518),这样,当电荷云接近信号电极(506)时,电场将电荷云导向信号电极(506)。结果,减小了传递辐射信号的电荷(即电子或空穴)的俘获效应,有效地消除了低能拖尾效应。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 增强 电荷 搜集 功能 半导体 辐射 探测器 | ||
【主权项】：
1.一种辐射探测器，包括：a)具有数个侧面且厚度至少为0.5毫米的半导体；b)制作在至少一个半导体侧面的偏置电极；c)制作在至少一个半导体侧面的信号电极；d)制作在至少一个半导体侧面的至少一个控制电极，将由半导体内部的电离现象产生的电荷云导向信号电极，显著地降低了信号电极上的半导体空穴俘获效应。其中，辐射探测器可以有效地探测高于20KeV的能量。
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