[发明专利]形成具有降低的金属杂质的介电层的方法无效
申请号: | 96198872.X | 申请日: | 1996-12-11 |
公开(公告)号: | CN1114937C | 公开(公告)日: | 2003-07-16 |
发明(设计)人: | 赫尔德·R·卡瓦尔海拉 | 申请(专利权)人: | 西利康瓦利集团热量系统公司 |
主分类号: | H01L21/316 | 分类号: | H01L21/316;C23C16/54 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 陶凤波 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种用化学气相沉积系统形成具有低金属原子浓度的介电层的方法。化学气相沉积系统包括臭氧装置和化学气相沉积反应器。氧气和无氮稀释气体引入臭氧装置,产生包括臭氧的气流。通过金属管路将气流送至化学气相沉积反应器,从而基本上不形成腐蚀管路的腐蚀蒸汽,从而提供基本上不含金属杂质的气流,其反应沉积具有减少金属杂质的层。 | ||
搜索关键词: | 形成 具有 降低 金属 杂质 介电层 方法 | ||
【主权项】:
1.一种用化学气相沉积系统在一基片表面沉积具有低金属原子浓度的氧化物层的方法,所述的化学气相沉积系统包括一个臭氧发生装置,并包括金属管路和一个化学气相沉积反应器,该方法包括以下步骤:向所述臭氧发生装置中引入一氧气流;向所述臭氧发生装置中引入以一包括氩气、氦气和二氧化碳的无氮稀释气体,并产生一个气流,该气流包括臭氧并且该气流基本上不与金属管路发生反应;通过所述金属管路将所述气流送至所述化学气相沉积反应器,以输送一基本不含金属杂质的气流;和在所述的化学气相沉积反应器内使所述气流与一种反应性气体反应,以在所述基片表面沉积一基本不含金属原子的层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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