[发明专利]形成具有降低的金属杂质的介电层的方法无效

专利信息
申请号: 96198872.X 申请日: 1996-12-11
公开(公告)号: CN1114937C 公开(公告)日: 2003-07-16
发明(设计)人: 赫尔德·R·卡瓦尔海拉 申请(专利权)人: 西利康瓦利集团热量系统公司
主分类号: H01L21/316 分类号: H01L21/316;C23C16/54
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 陶凤波
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一种用化学气相沉积系统形成具有低金属原子浓度的介电层的方法。化学气相沉积系统包括臭氧装置和化学气相沉积反应器。氧气和无氮稀释气体引入臭氧装置,产生包括臭氧的气流。通过金属管路将气流送至化学气相沉积反应器,从而基本上不形成腐蚀管路的腐蚀蒸汽,从而提供基本上不含金属杂质的气流,其反应沉积具有减少金属杂质的层。
搜索关键词: 形成 具有 降低 金属 杂质 介电层 方法
【主权项】:
1.一种用化学气相沉积系统在一基片表面沉积具有低金属原子浓度的氧化物层的方法,所述的化学气相沉积系统包括一个臭氧发生装置,并包括金属管路和一个化学气相沉积反应器,该方法包括以下步骤:向所述臭氧发生装置中引入一氧气流;向所述臭氧发生装置中引入以一包括氩气、氦气和二氧化碳的无氮稀释气体,并产生一个气流,该气流包括臭氧并且该气流基本上不与金属管路发生反应;通过所述金属管路将所述气流送至所述化学气相沉积反应器,以输送一基本不含金属杂质的气流;和在所述的化学气相沉积反应器内使所述气流与一种反应性气体反应,以在所述基片表面沉积一基本不含金属原子的层。
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