[发明专利]制备太阳能电池前体薄膜的方法及太阳能电池

摘要

可用于生产太阳能电池的高质量铜-铟-镓-联硒的薄膜是通过在玻璃/Mo基材(12、14)上电淀积至少一种构成金属(18)，接着通过物理气相淀积铜和硒或铟和硒来调整该薄膜的最终化学计量为接近Cu(In，Ga)Se₂来制备的。在电淀积中采用1～100千赫的交流电和直流电可提高淀积薄膜的形态和生长速度。可以采用含有至少一部分有机溶剂的电淀积溶液，同时提高阴极电位来提高该电淀积薄膜的镓含量。

主权项

1.一种制备用于太阳能电池的前体薄膜的方法，该方法包括步骤：在基材上电淀积CuxInyGazSen(x＝0～2，y＝0～2，z＝0～2，n＝0～3)层，电淀积的直流电压约为1～5伏，在直流电压上叠加的交流电压约为0.2～5.0伏，频率为1～100千赫；通过汽相淀积在所说的CuxInyGazSen层上淀积足量的In+Se或Cu+Se，在基材上生成由CuxInyGazSen层和In+Se或Cu+Se组成的Cu(In，Ga)Se2薄膜，其中所说的薄膜具有约为Cu＝1～1.2∶(In，Ga)＝1～1.2∶Se＝2～2.5的化学计量比例。