[发明专利]半导体限流器件无效
| 申请号： | 96199113.5 | 申请日： | 1996-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN1147000C | 公开（公告）日： | 2004-04-21 |
| 发明（设计）人： | 迪特里希·斯蒂法妮;海因茨·米特莱纳;乌尔里克·韦纳特 | 申请（专利权）人： | 西门子公司 |
| 主分类号： | H01L29/772 | 分类号： | H01L29/772;H01L29/86 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 侯宇 |
| 地址： | 联邦德*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 一种半导体限流器件，其包括一个水平通道区(22)和一个在n导电类型的第一半导体区(2)内与之相连接的竖直通道区(29)。两个通道区都以一个p-n结耗尽区(23)为界。所述p-n结在第一半导体区(2)和一个在第一半导体区(2)中埋置的、p导电类型的第二半导体区之间构成。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 限流 器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体限流器件，具有：a)一个给定导电类型(n或者p)的第一半导体区(2)，b)在第一半导体区(2)的上表面(20)上形成的一个欧姆接触区(5)，c)第二半导体区(3)，它形成在第一半导体区(2)内该欧姆接触区(5)的下面，并和第一半导体区(2)的导电类型相反，其中，d)与上述欧姆接触区(5)相分开的另一接触区(6)，e)第二半导体区(3)在平行于第一半导体区(2)的上表面(20)的各方向上的长度比该欧姆接触区(5)的长度长，使得在第一半导体区(2)内至少建立一个水平通道区(22)，其在下面以在第一半导体区(2)和第二半导体区(3)之间构成的p-n结的耗尽区(23)为界，它在导通状态时从该欧姆接触区(5)流出电流或者向该欧姆接触区(5)流入电流。
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