[发明专利]制造双晶簇磁记录介质的方法无效
| 申请号： | 96199649.8 | 申请日： | 1996-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN1152160C | 公开（公告）日： | 2004-06-02 |
| 发明（设计）人： | 陈嘉伦;陈其旭 | 申请（专利权）人： | 西加特技术有限责任公司 |
| 主分类号： | C30B23/02 | 分类号： | C30B23/02;C30B23/08;C30B29/10 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 吴蓉军 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 通过在玻璃或玻璃-陶瓷材料基体(30)上沉积一籽晶层(31)，氧化该籽晶层，在氧化的籽晶层上沉积一垫层(32)，例如铬，使垫层表现出(200)晶向，这样来形成一种有双晶簇微观结构的磁性合金层(33)，从而得到降低了介质噪声的磁记录介质。在具有(200)晶向的垫层上外延生产的磁性合金呈现出双晶簇微观结构。在该磁性合金上沉积一防护层(34)和一润滑剂层(35)，防护层可以是碳。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 双晶 记录 介质 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造磁记录介质的方法，其特征在于：所述方法包括：在由玻璃或玻璃-陶瓷材料构成的基体上溅射沉积一籽晶层，所述籽晶层含有磷化3镍(Ni3P)、镍-磷(NiP)和钽(Ta)中的一种材料；氧化该籽晶层；在氧化的籽晶层上溅射沉积一垫层，所述垫层包括铬、铬-钒合金(CrV)或铬-钛合金(CrTi)；及在垫层上溅射沉积一磁性层，所述磁性层包括钴(Co)基合金，其中沉积的磁性层具有双晶族微观结构。
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