[发明专利]倍压装置无效
| 申请号： | 96199658.7 | 申请日： | 1996-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN1106647C | 公开（公告）日： | 2003-04-23 |
| 发明（设计）人： | C·劳特巴赫;W·韦伯 | 申请（专利权）人： | 西门子公司 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06;H02M3/07;H01L27/115 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 马铁良,王忠忠 |
| 地址： | 联邦德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本专利申请涉及一种产生负高压的装置，这一装置对比如用于快速EEPROM编程是必需的。此外本专利申请的优点在于，为了减少基片控制效应，各晶体管的形成沟道的阱是与各相关晶体管的一端相连，而不会因负高压使基片-阱二极管正向偏置，所以也不会出现对基片短路。 | ||
| 搜索关键词： | 装置 | ||
【主权项】：
1.产生负高压的装置，至少4个泵晶体管(X1…X4)作为串联电路连接，第一泵晶体管(X1)直接与一输入端(IN)连接，最后一泵晶体管(X4)直接或间接地与装置的输出端(OUT)连接，-其中，奇数泵晶体管(X1，X3)的栅极通过第一电容器(11，31)与第一时钟信号输入端F2相连，偶数泵晶体管(X2，X4)的栅极通过另外的第一电容器(21，41)与第二时钟信号输入端(F4)相连，串联电路的奇数连接节点(X1，X2；X3，X4)通过第二电容器(12，32)与第三时钟信号输入端(F3)相连，而串联电路的偶数连接节点(X2，X3；X4，OUT或X4，Z)通过另外的第二电容器(22，42)与第四时钟信号输入端(F1)相连，且泵晶体管(X1…X4)是由高压NMOS-晶体管组成，这些高压晶体管的各形成沟道的阱是与串联电路的各连接节点相连。
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