[实用新型]金属有机化合物气相沉积技术倒置式生长反应器无效
| 申请号： | 96222434.0 | 申请日： | 1996-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN2294270Y | 公开（公告）日： | 1998-10-14 |
| 发明（设计）人： | 何进;俞振中;马可军;沈寿珍;许平 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海技术物理研究所 |
| 主分类号： | C30B25/00 | 分类号： | C30B25/00 |
| 代理公司： | 上海华东专利事务所 | 代理人： | 高毓秋 |
| 地址： | 200083*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种金属有机化合物气相沉积技术倒置式生长反应器。在水平式常压开管腔体内,置有石英搁架,外延衬底片放置在搁架上。加热石墨块紧贴衬底,置于衬底片上方。衬底片外延面朝向下面的反应物主气流。在前部的Hg池上方,设置有Hg蒸气导引片,反应器的后部设有收集、过滤回流的Hg收集池,设置的Hg蒸气压调节板在气流方向上前后移动,改变Hg舟的有效蒸发面积,从而控制反应器内的Hg蒸气分压。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 有机化合物 沉积 技术 倒置 生长 反应器 | ||
【主权项】：
1、一种金属有机化合物气相沉积技术倒置生长反应器，除石黑加热体外，其余均为石英制成，包括石墨加热块(1)，石英搁架(4)，在衬底片前方设置的Hg舟(5)，Hg收集池(6)，Hg舟和Hg收集池连接管(11)，均在水平式常压开管腔体内，腔体外置有射频线圈(3)，其特征在于：a.腔体内靠近上腔壁，置有供放置外延衬底片的石英搁架(4)，支撑衬底片(2)，衬底外延面(9)向下，面向反应物主气流，石墨加热块(1)置于衬底上方，并紧贴衬底片(2)；b.在生长反应器的后部设有Hg收集池(6)，其收集的Hg通过连接管(11)重新流回前部的Hg舟(5)。
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