[实用新型]新型绝缘栅场效应晶体管无效
| 申请号： | 96227956.0 | 申请日： | 1996-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN2264416Y | 公开（公告）日： | 1997-10-08 |
| 发明（设计）人： | 王弘;王民;王卓;尚淑霞 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78 |
| 代理公司： | 山东大学专利事务所 | 代理人： | 王绪银 |
| 地址： | 250100 *** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本实用新型属于半导体器件技术领域，选用具有高介电常数材料钛酸铋或钛酸铋/二氧化硅复合层或钛酸铋/氧化镁复合层代替传统的二氧化硅作绝缘栅，绝缘栅的厚度为500-8000埃，在钛酸铋/二氧化硅或钛酸铋/氧化镁复合绝缘栅中，钛酸铋层厚度为450-7500埃，二氧化硅或氧化镁层厚度为50-500埃。可提高场效应管的跨导、耐直流击穿性能，降低夹断电压(或开启电压)。 | ||
| 搜索关键词： | 新型 绝缘 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种新型绝缘栅场效应晶体管，由硅基片、源区、漏区、绝缘栅、源电极、漏电极和栅电极构成，其特征在于，绝缘栅由下列材料之一作成：(1).钛酸铋；(2).钛酸铋/二氧化硅复合层；(3).钛酸铋/氧化镁复合层。
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