[发明专利]多层非晶硅的制造方法无效
| 申请号： | 97100900.7 | 申请日： | 1997-04-04 |
| 公开（公告）号： | CN1048820C | 公开（公告）日： | 2000-01-26 |
| 发明（设计）人： | 吴协霖 | 申请（专利权）人： | 世界先进积体电路股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/70 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 刘晓峰 |
| 地址： | 台湾省新竹科学工*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种形成多层非晶硅的方法，包含在一半导体底材上形成一氧化硅层；在氧化硅层上形成至少二层的多晶硅层；在多晶硅层上形成一金属硅化层；及在金属硅化层上定义栅极区。本发明可以减低氟原子对于氧化硅层及整个元件的影响并可以减低多晶硅化金属与金属连线之间的电阻值。 | ||
| 搜索关键词： | 多层 非晶硅 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在多层非晶硅上形成金属硅化层的方法，在一半导体底材上形成一氧化硅层，其特征在于包含：在该氧化硅层上形成至少二层的多晶硅层；在该多晶硅层上形成一金属硅化层；在该金属硅化层上定义至少两个栅极区；及蚀去未被定义的该金属硅化层、该多晶硅层及氧化硅层部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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