[发明专利]拉单晶装置

摘要

一种拉制硅或砷化镓等半导体单晶的拉单晶装置，包括气密容器，容器内的坩埚，加热器，和一对在半导体熔化物中施加会交磁场的线圈。一圆筒形隔离体把坩埚分为供应并熔化源材料的外区域和拉单晶的内区域。内外区域在隔离体底部连通。反向电流加于一对线圈，在熔化物内产生会交磁场，该磁场包含相对于坩埚的、定位在连通通道位置的垂直部分，和定位在熔化物表面下的水平部分，可减小熔化物的流速并抑制其对流。获得高质量的半导体单晶。

主权项

1.一种拉单晶装置，包括：包围单晶材料的熔化区域的气密容器；用来装半导体熔化物的双坩埚，置于气密容器内，具有由安装于外坩埚内的圆筒形隔离体限定的圆筒形内坩埚，和用来连通双坩埚外区域和内区域的连通通道；设置在气密容器内和在双坩埚外的加热器，用来加热双坩埚以产生半导体熔化物；和用来施加会交磁场的装置，装在气密容器的外面，用来施加会交磁场；该装置的特征为：由上述施加装置施加的会交磁场的基本水平部分位于半导体熔化物的表面下，会交磁场的基本垂直部分位于上述连通通道处。