[发明专利]半导体器件的制造方法

摘要

制造在半导体衬底上带有电容器的半导体器件的方法、该方法包括在衬底上形成电容器下电极；在该下电极上形成第一隔离膜、选择性地腐蚀第一隔离膜以形成第一和第二开孔；在上述下电极和第一隔离膜上形成第二隔离膜；选择性腐蚀第二隔离膜以露出上述第二开孔的底部及与第二开孔周边的第一隔离膜，以及在第二开孔中形成所述电容器下电极的接触电极。$#!

主权项

1.一种制造在半导体衬底上带有电容器的半导体器件的方法，包括下列步骤：步骤(1)在一个半导体衬底上形成一个电容器下电极；步骤(2)在所述电容器下电极上形成一个第一隔离膜；步骤(3)对所述第一隔离膜进行选择性腐蚀，以便除去将要形成电容器隔离膜的区域中的那部分第一隔离膜，以形成第一开孔，同时有选择地除去所述第一隔离膜中将要形成所述电容器下电极之接触的那个区域，以形成一个第二开孔；步骤(4)在所述电容器下电极和第一隔离膜上形成一个用作电容器隔离膜的第二隔离膜；步骤(5)选择性地腐蚀所述第二隔离膜，以便除去所述第二隔离膜中对应于所述第二开孔底部的部分和对应于所述第一隔离膜之上的所述第二开孔周边的部分；以及步骤(6)在所述第一开孔中形成一个电容器上电极，同时在所述第二开孔中形成所述电容器下电极的一个接触电极。