[发明专利]半导体集成电路装置及其制造方法无效
| 申请号： | 97102023.X | 申请日： | 1997-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN1162845A | 公开（公告）日： | 1997-10-22 |
| 发明（设计）人： | 成井诚司;宇田川哲;梶谷一彦;吉田诚 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立制作所 |
| 主分类号： | H01L27/108 | 分类号： | H01L27/108;H01L27/10;H01L21/8242;H01L21/822;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | DRAM的存储器单元选择MISFETQt的栅电极8A(字线)的薄层电阻和位线BL1、BL2的薄层电阻分别等于或小于2Ω/□。在形成栅电极8A(字线)或位线BL1、BL2的步骤期间形成周边电路的互连，由此可减少制造DRAM的步骤的数目。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 集成电路 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种包括DRAM的半导体集成电路装置，该DRAM包含由用于存储器单元选择的MISFET和在该MISFET上形成的信息存储电容器构成的存储器单元，其中整体上兼有存储器单元选择MISFET的栅电极的字线的薄层电阻和连接到存储器单元选择MISFET的源区和漏区的一个上的位线的薄层电阻分别等于或小于2Ω/□。
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- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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