[发明专利]半导体器件的制造方法

摘要

在半导体衬底上依次形成器件绝缘膜、下白金膜、强电介质膜、上白金膜、钛膜和期望图形的光刻胶掩模。钛膜厚度设为上白金膜、强电介质膜和下白金膜总厚度的十分之一以上。用干蚀法刻蚀钛膜并用灰化处理除去光刻胶掩模。用已图形化的钛膜为掩模，应用把氧气的体积浓度设定为40％的氯与氧混合气体的等离子体的干蚀法刻蚀上白金膜、强电介质膜和下白金膜。由于钛膜被氧化故可得到高的刻蚀选择比。再用应用了氯气的等离子体的干蚀法除去钛膜。

主权项

1.一种半导体器件的制造方法，其特征是具有下列工序：在半导体衬底的上边形成由强电介质和高介电系数材料二者之中至少一者构成的刻蚀对象膜；在上述刻蚀对象膜的上边形成叠层掩模，该叠层掩模具有由绝缘物构成的下层掩模和由该下层掩模之上、易于氧化的金属构成的上层掩模，且已图形化；用卤族元素和氧的混合气体的等离子体对上述刻蚀对象膜选择性地进行刻蚀；以及留下上述下层掩模、并除去上述上层掩模，其中，在所述除去上层掩摸的工序中，通过留下所述下层掩摸而使所述刻蚀对象膜不暴露在刻蚀气体中。