[发明专利]薄膜制备方法和淀积设备无效
| 申请号： | 97102271.2 | 申请日： | 1997-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN1160483C | 公开（公告）日： | 2004-08-04 |
| 发明（设计）人： | 幸田勇藏;冈部正太郎;金井正博;酒井明;芳里直;西元智纪;矢岛孝博 | 申请（专利权）人： | 佳能株式会社 |
| 主分类号： | C23C16/54 | 分类号： | C23C16/54;C23C16/50;G03G5/08;H01J37/32;H01L21/20;H01L21/205;H01L21/36;H01L31/04 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在本发明的淀积设备中，安装在辉光放电空间(即与放电接触的空间)内的射频功率施加阴极的表面积大于包括带状构件在内的接地(阳极)电极整体的表面积，从而使安装在辉光放电空间的阴极电位(自偏置)相对于接地(阳极)电极自动保持在正电位。该偏置使得等离子体放电中的离子更加有效地朝带状构件加速，由此通过离子轰击有效地将能量施与淀积薄膜表面。该设备能在相当高的淀积速度下以高效率、高均匀性和高重复性生成微晶半导体薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 制备 方法 设备 | ||
【主权项】：
1.一种淀积设备，其中在等离子体CVD装置的等离子体放电空间安装的功率施加电极的表面积大于接地电极的总表面积。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
