[发明专利]半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 97102281.X | 申请日： | 1997-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN1163490A | 公开（公告）日： | 1997-10-29 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;寺本聪;小山润;尾形靖;早川昌彦;纳光明;大谷久;滨谷敏次 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 董巍,叶恺东 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的目的是要得到具有良好的特性的薄膜晶体管。使非晶硅膜203的特定的区域205保持有选择地与镍元素相接。然后通过加热处理，进行用207示出的那种朝向与基板平行的方向的结晶生长。再通过在含有卤素元素的氧化性气氛中的加热处理，形成热氧化膜209。此时，进行结晶性的改善、镍元素的吸杂。然后使上述结晶生长方向与源/漏区的联结方向一致来制造薄膜晶体管。通过这样做，可得到迁移率为200(cm2/Vs)以上，S值为100(mV/dec)以下的那种具有良好特性的TFT。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，该装置的特征在于：这是一种利用了将在具有绝缘表面的基板上形成的结晶性硅膜作为有源层的薄膜晶体管的半导体装置；该结晶性硅膜在预定的方向上具有带有连续性的结晶结构，并在上述预定的方向上具有延伸的结晶粒界；在上述薄膜晶体管中，将联结源区和漏区的方向与上述预定方向形成为具有一个预定角度。
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