[发明专利]减小漏电流的半导体存储器无效
| 申请号： | 97102674.2 | 申请日： | 1997-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN1153222C | 公开（公告）日： | 2004-06-09 |
| 发明（设计）人： | 飞田洋一 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/403 | 分类号： | G11C11/403 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 吴增勇;萧掬昌 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在数据保持方式下，存储单元阵列(100)中基片区的电位 被固定在与正常方式下的相同的电平，并且使加到外围电路的基片区的偏压的绝对值大于正常工作方式下的对应值。当工作方式改变时，存储单元晶体管基片电位不变，因此存储单元的存储节点上的电位不变，从而可靠地保持存储数据。外围电路中MOS晶体管的阈电压的绝对值加大，并且子阈值电流减小。在半导体存储器的数据保持方式下，在不对存储数据产生有害影响的情况下减小了电流消耗。 | ||
| 搜索关键词： | 减小 漏电 半导体 存储器 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储器，其特征在于包括：存储单元阵列，它包括许多排列成行和列的存储单元，阵列偏压装置，用来把恒定的偏压输送到其上形成所述存储单元阵列的基片区，外围电路，用来把所述存储单元阵列激励到所选择的状态，以及外围偏压装置，用来把偏压输送到其上形成所述外围电路的基片区，所述外围偏压装置包括偏压控制装置，用来使在数据保持方式指定信号的激活状态期间由所述外围偏压装置输送的偏压的绝对值大于在数据保持方式指定信号的非激活状态期间由所述外围偏压装置输送的偏压的绝对值。
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