[发明专利]场效应晶体管和使用该晶体管的固态天线开关无效
| 申请号： | 97102822.2 | 申请日： | 1997-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN1113417C | 公开（公告）日： | 2003-07-02 |
| 发明（设计）人： | 猪口和之 | 申请（专利权）人： | 冲电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 吴增勇,萧掬昌 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种具有覆盖电极的场效应晶体管，该覆盖电极至少覆盖该晶体管沟道的一部分。所述覆盖电极形成在覆盖该晶体管的源区，栅区和漏区的绝缘层上。当该晶体管导通时，在覆盖电极上施加一种电压。当该晶体管截止时，在覆盖电极上施加产生阻碍电流在沟道内流动的电场的另一种电压。在天线开关中，这种晶体管将天线耦合到接收电路，而另一种晶体管将天线耦合到发射电路。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 使用 固态 天线 开关 | ||
【主权项】：
1.一种场效应晶体管包括：半导体基片(1)，在半导体基片上形成的源区(2)和漏区(4)，在半导体基片上源区和漏区之间传导电流的沟道(3)，位于该沟道的一部分之上、在半导体基片上形成的用来控制所述电流的栅极(6)，和覆盖半导体基片和栅极的绝缘层(8)，其特征在于该晶体管还包括：在所述绝缘层上形成的覆盖电极(9)，该电极至少覆盖所述沟道的一部分，当所述场效应晶体管导通时，该电极被施加一种电压，该电压产生加速电流在沟道中流动的电场；而当所述场效应晶体管截止时，被施加另一种电压，所述另一种电压产生阻碍电流在所述沟道内流动的电场。
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