[发明专利]半导体集成电路的设计方法及其半导体集成电路装置无效
申请号: | 97103057.X | 申请日: | 1997-03-07 |
公开(公告)号: | CN1077727C | 公开(公告)日: | 2002-01-09 |
发明(设计)人: | 渡部隆夫;鲇川一重;藤田良;柳泽一正;田中均 | 申请(专利权)人: | 株式会社日立制作所;日立超爱尔;爱斯;爱工程股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/06 | 分类号: | H01L27/06 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 王以平 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 具有多条I/O线的存储器芯、传送电路用模块以及逻辑库并存储在数据库中,用它们进行半导体集成电路装置设计。进而,把具有多条I/O线的存储器芯和逻辑电路配置成各I/O线为同一方向,在I/O线之间配置由多级开关群构成的传送电路。若一级或少数级数的开关群导通,则存储器芯的I/O线和逻辑电路的I/O线连通形成传送图形。进而,以放大器模块、存储体模块、电源模块等功能块的组合构成存储器芯、行序列电路和沿位线方向延伸的多条I/O线。$#! | ||
搜索关键词: | 半导体 集成电路 设计 方法 及其 装置 | ||
【主权项】:
1.一种半导体集成电路的设计方法,具备下述工序:把用于对多个存储器芯、传送电路模块群和逻辑电路进行合成的基本门电路存储到数据库用存储装置中的工序;从上述多个存储器芯中选择并配置所希望的存储器芯的工序;从传送电路模块群选择所希望的模块,形成传送电路并配置为与上述被选存储器芯邻接的工序;用上述基本门电路合成所希望的逻辑电路,并配置为与上述传送电路邻接的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的