[发明专利]非易失性存储装置无效
| 申请号： | 97103086.3 | 申请日： | 1997-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN1157737C | 公开（公告）日： | 2004-07-14 |
| 发明（设计）人： | 崔雄林;罗庚晚 | 申请（专利权）人： | LG半导体株式会社 |
| 主分类号： | G11C14/00 | 分类号： | G11C14/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 黄敏 |
| 地址： | 韩国忠*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一非易失性存储装置，包括在编程中用于存储电荷载流子的浮置栅，在编程中通过向浮置栅注入由外界引入的电荷载流子而执行编程的编程栅、在擦除中将存储在浮栅中的电荷载流子排放到外界的擦除栅、在编程中控制由编程栅向浮置栅提供的电荷载流子量的控制栅、以及在编程中校验由编程栅提供的电荷载流子量的校验部分。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 存储 装置 | ||
【主权项】：
1、一种非易失性存储装置，包括：第一导电型半导体衬底；多个以预定的间隔在一个方向形成在半导体衬底上的位线区；多个以方阵排列的形式安置在半导体衬底上各位线区之间的浮置栅；多个在半导体衬底上按垂直于位线区的方向形成在各浮置栅之间的擦除线；多个在浮置栅之上在各擦除线之间形成的字线；及多个在各位线区之间垂直于字线的编程线。
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