[发明专利]磁电阻换能器、形成磁膜的方法和磁记录／重放驱动器无效
| 申请号： | 97103102.9 | 申请日： | 1997-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN1081819C | 公开（公告）日： | 2002-03-27 |
| 发明（设计）人： | 金井均;兼淳一;山田健一郎 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | G11B5/39 | 分类号： | G11B5/39 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 蒋世迅 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种磁电阻换能器，包括一个多层膜，它含有顺序迭加的第一软磁性层、非磁性层、第二软磁性层和反铁磁性层，该第一软磁性层含有由(CoyFe100-y)100-xBx合金层和(CoyFe100-y)100-xCx合金层之一构成的一个合金层，其中x和y表示原子百分数(at％)，该合金层紧靠所述的非磁性层，该合金层具有面心立方晶格结构，其晶格常数小于CoyFe100-y合金的晶格常数；以及一对电极，它形成在所述的多层膜上，允许读出电流通过所述的多层膜。$#! | ||
| 搜索关键词： | 磁电 阻换能器 形成 方法 记录 重放 驱动器 | ||
【主权项】：
1.一种磁电阻变换器，包括：一个多层膜，它含有顺序迭加的第一软磁性层、非磁性层、第二软磁性层和反铁磁性层，该第一软磁性层含有由(CoyFe100-y)100-xBx合金层和(CoyFe100-y)100-xCx合金层之一构成的一个合金层，其中x和y表示原子百分数(at％)，y的范围是85-95at％，而x的范围是2-9at％，该合金层紧靠所述的非磁性层，该合金层具有面心立方晶格结构，其晶格常数小于CoyFe100-y合金的晶格常数；以及一对电极，它形成在所述的多层膜上，允许读出电流通过所述的多层膜。
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