[发明专利]淀积膜形成装置和方法无效
申请号: | 97104502.X | 申请日: | 1997-03-18 |
公开(公告)号: | CN1163944A | 公开(公告)日: | 1997-11-05 |
发明(设计)人: | 吉田耕平;越前裕;金井正博;大利博和;吉野豪人;田中雅敏 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
主分类号: | C23C16/52 | 分类号: | C23C16/52 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 王以平 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种淀积膜形成装置,其特征在于用于控制淀积室壁温度的温度控制部件通过一热传导率调整板与淀积室外壁相接触,该热传导率调整板能在膜形成过程中抑制淀积室温度上升时防止过冷却,并且它能在膜淀积时长时间维持淀积室壁的温度在一优选温度,从而形成淀积膜。结果该装置能在一长时间内批量生产质量稳定的淀积膜,尤其是,大面积的和高质量的应用非晶半导体的光生伏打元件。 | ||
搜索关键词: | 淀积膜 形成 装置 方法 | ||
【主权项】:
1.一种淀积膜形成装置,包括:一控制淀积室壁温度的温度控制部件,该部件通过热传导率调整板与所述的淀积室外壁接触。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的