[发明专利]磁性能良好的低硼非晶态合金及其制造方法无效
| 申请号： | 97104701.4 | 申请日： | 1997-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN1077149C | 公开（公告）日： | 2002-01-02 |
| 发明（设计）人： | 松木谦典;小菊史勇;志贺信勇;行本正雄 | 申请（专利权）人： | 川崎制铁株式会社 |
| 主分类号： | C22C45/02 | 分类号： | C22C45/02 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 吴大建 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在Fe-Si-B系非晶态合金中，对于Ｂ含量在６—１０原子％的低硼Fe-Si-B系非晶态合金，将其板厚控制在１５—２５μm，同时将表面粗糙度Ｒa0.8控制在０．８μm以下，可以得到不次于Ｂ含量在１０原子％以上且偏差较小的优异磁性能。$#! | ||
| 搜索关键词： | 磁性 良好 非晶态合金 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1磁性能良好的低硼非晶态合金，它是B含量为6-10原子％的低硼Fe-Si-B系非晶态合金，其板厚为15-25μm，表面粗糙度Ra0.8(在切断值0.8mm下测定的与急冷辊接触面的粗糙度算出平均偏差值)是0.8μm以下而且，将B含量为6-10原子％的Fe-Si-B系非晶态合金熔液，用单辊法急冷凝固、制造板厚为15-25μm的低硼非晶态合金时，熔液的注射压力是30-60Kpa，辊圆周速度为35-50m/s。
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