[发明专利]半导体薄膜以及半导体器件无效
| 申请号： | 97104977.7 | 申请日： | 1997-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN1165976C | 公开（公告）日： | 2004-09-08 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;宫永昭治;小山润;福永健司 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L21/322 | 分类号： | H01L21/322;H01L27/04;H01L29/786 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 萧掬昌;张志醒 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体薄膜，其形成有横向生长区，它是柱状或针状晶体的集合，其通常平行于衬底伸展。用具有等效能量激光或强光对半导体薄膜进行照射，结果使相邻的柱状或针状晶体结合在一起，形成实质上没有晶界的区域，即实质上可看作单晶的单畴区。半导体器件可通过使用单畴区作为有源层而形成。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 薄膜 以及 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种由硅组成的半导体薄膜，其形成在具有绝缘表面的衬底上，所述的半导体薄膜是由单畴区组成的，其实质上没有晶界，并且其结晶度已通过用具有等效能量的激光或强光对其照射而改善，所述单畴区是柱状或针状结晶的集合，它与衬底平行伸展。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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